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氧化陷阱; 释放电流; 存储器;
机译:使用双量子势垒改进了电荷陷阱存储器的高温保持能力
机译:ZrO_2电荷陷阱层的氮氧化物-氮化物-氮化物-氧化物-硅非易失性存储器性能改进
机译:界面互扩散引起HfO2 / Al2O3多层存储器件中电荷陷阱能力的增强
机译:分析由氧化物陷阱引起的去陷阱电流,以改善闪存的保持能力
机译:在二氧化f和基于二氧化硅的金属氧化物-硅结构中,与偏置温度不稳定性和应力引起的泄漏电流有关的缺陷的磁共振观察。
机译:估计肺扩散能力的克罗格一氧化碳呼吸保持技术的改进;与其他三种方法的比较
机译:由于随机编程电荷引起的电流路径渗透效应,在多时间程序mLC sONOs存储器中的Vt保持分布尾部
机译:低杂交和快波引起的环形陷阱粒子的径向扩散
机译:具有相同双层氧化物的快闪记忆体的制造方法和使用该方法的快闪记忆体
机译:通过防止电荷陷阱的扩散而保持开/关电流比的非易失性存储器装置及其形成方法
机译:用于制造快闪记忆体半导体装置的扩大的氧化物-氮化物-氧化物结构的方法
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