Ge—Te／Sb—Te超晶格膜在室温～150℃具有2000％以上的磁阻效应

摘要

日本产业技术综合研究所的富永淳二首席研究员发现，将光盘相变存储器材料Ge—sb—Te合金的原料Ge—Te合金和Sb—Te合金的薄膜交替积层获得的超品格结构相变膜，在室温。150℃温度区域内具有巨磁阻效应。此前一直认为，利用记录膜在结晶状态和非晶状态不同的电阻差进行信息记录与读取的非挥发性相变存储器（PCRAM）与磁阻存储器（MRAM）的原理不同。但由此次发现可知，超晶格结构的相变存储器膜不论电或磁都能使其工作。因此可通过独立控制这两种参数，使其具有多值功能（利用三进位、四进位进行信息处理），开发出全新的存储器。