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苏宇欢;
无;
铁电薄膜; 沉积; 电极; 电学特性; Pb基;
机译:(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3和Pb(Nb,Zr,Sn,Ti)O3反铁电薄膜通过溶胶-凝胶法沉积在LaNiO3缓冲硅衬底上的相变行为
机译:沉积在LaNiO3 sub>缓冲硅上的(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3 sub>和Pb(Nb,Zr,Sn,Ti)O3 sub>反铁电薄膜的相变行为溶胶-凝胶法处理基材
机译:通过简单的溶胶-凝胶法沉积在金刚石基底上的定向Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O_3铁电薄膜的结构和电学特性
机译:铁电体Pb(Zr / sub 1-x / Ti / sub x /)O / sub 3 /沉积在PtRhO / sub y /电极阻挡层上的薄膜电容器的特性
机译:镧锶锰(LA0.67SR0.33MNO3)和锆钛酸铅(PBZR0.52TI0.48O3)薄膜异质结构中的自极化感应磁电耦合
机译:硅上外延PbZr0.45Ti0.55O3薄膜的铁电和压电特性的固有稳定性与晶粒倾斜的关系
机译:外延Srruo3薄膜沉积在SRO缓冲-Si(001)基板上的铁电PB(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
机译:A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用
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