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重木;
无;
W掩膜; 氮化镓; 外延生长;
机译:利用金属迁移增强外延生长高质量GaN / GaN异质结的低温GaN外延生长
机译:通过复杂的掩膜几何形状的选择性区域外延生长GaN的相场模拟
机译:使用原位碳化光致抗蚀剂掩膜在蓝宝石衬底上外延生长GaN
机译:通过无掩膜外延外延生长的GaN(0001)层中X射线微衍射表征应力松弛,位错和晶体学倾斜
机译:利用实验室制造的相位掩膜对3D彭罗斯类准光子晶体聚合物模板进行光刻制造。
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:外延石墨烯作为掩膜在4H-SiC上通过金属有机气相外延生长GaN的纳米选择性区域
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:外延生长用基板,GaN基半导体膜的制造方法,GaN基半导体膜,GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:外延生长用基板,GaN半导体膜的制造方法,GaN半导体膜,GaN半导体发光元件的制造方法以及GaN半导体发光元件
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