信息领域中的主要新型元器件(下)

摘要

@@ 2).异质结IMPATT器件rnIMPATT器件输出功率比GUNN器件高很多,但因雪崩倍增过程带来的固有噪声很高,从而限制了IMPATT器件在很多领域的应用.IMPATT器件要进一步提高输出功率,必须从改进效率入手,一方面要使雪崩区的宽度占整个耗尽区的比例要小,同时要寻找离化率阈值高的材料,使雪崩电压VA下降.基于这种想法,应该采用异质结结构,即用一种窄带隙的材料,(例如InP,其带隙为1.5eV),作为漂移区,由于InGaAs的离化阈值低而离化率比InP高很多,可以实现低雪崩阈值VA,降低阈值电压VA同漂移区电压VD的比值从而使器件的转移效率提高.