首页> 中文期刊> 《电子设计工程》 >意法半导体航天级功率MOSFET晶体管的主要特性

意法半导体航天级功率MOSFET晶体管的主要特性

         

摘要

快速开关性能 100%雪崩测试 密封式封装 可承受70/100 krad总离子辐射量(TID) 抗SEE辐射 STRHxxxN10、STRHxxxN6和STRH40P10系列现已上市,达到EM(工程模型)或ESCC的航空质量级标准,封装采用T0254-AA和TO-39通孔封装。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号