Sn掺杂对Ti1-xSnxO2微波介质陶瓷性能的影响

摘要

采用传统固相反应法合成了Ti1-xSnxO2(0≤x≤0.28)陶瓷,并且研究了其微观结构与微波介电性能之间的关系.实验结果表明,锡离子的引入并不会改变其晶体结构.然而,随着锡离子掺杂量的增加,陶瓷的品质因数可以得到有效的提升.由于高温下二氧化锡易挥发,当掺入过量锡离子后,陶瓷内部会产生大量气孔,反而降低了其品质因数.当锡离子掺杂量x=0.16,烧结温度为1375°C时,陶瓷得到了较好的介电性能:εr=88.4,Q·f=20777 GHz,τf=430.2′10-6°C-1.