SnO2厚膜NO2新型气敏元件的研制

摘要

根据霍耳效应,用真空镀膜法制备之SnO2厚膜,制备了NO2新型气敏元件,并对其气敏性能进行了测试.结果表明:在一定的温度和湿度下,即使没有加热,元件对体积分数为20×10-6的NO2气体的灵敏度可达5.94,响应时间为36 s,恢复时间为22 s.因此,利用霍耳效应来制作气敏元件是一条可行的新思路.