纳米晶FeCuNbSiB带材巨磁阻抗效应研究

摘要

采用微机电系统(MEMS)技术,在玻璃基片上制备了单层结构500 ℃退火的FeCuNbSiB带材样品.在1～40 MHz下,研究了带材的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场强度以及交流电流频率的变化关系.结果表明:纵向、横向巨磁阻抗效应变化率(GMI值)在5 MHz、1.2 kA/m和5 MHz、8 kA/m时,分别达到最大值15.6%和10.6%.