非晶多层FeCuNbSiB薄膜的巨磁阻抗效应

摘要

研究了多层Fe<,73.5>Cu<,1>Nb<,3>Si<,13.5>B<,9>薄膜结构的巨磁阻抗效应.这种多层结构在制备态即具有显著的巨磁阻抗效应.当外加直流磁场平行及垂直于交变电流方向(分别称为纵向及横向巨磁阻抗)时获得的最大磁阻抗变化率分别为50﹪和34﹪.纵向阻抗变化率随磁场的变化具有明显的双峰结构,在1.6kAm<'-1>达到最大值,在0～1.6kAm<'-1>磁阻抗变化率随磁场变化的灵敏度为0.03﹪/Am<'-1>,而横向磁阻抗变化率随磁场变化几乎是单峰结构.另外,我们发现阻抗随磁场的变化存在磁滞.