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林嵩; 冯全源;
西南交通大学微电子研究所,四川成都610031;
带隙基准; BICMOS; 低温漂; 高PSRR; Brokaw结构; 二阶温度补偿;
机译:具有小温度系数的温度补偿互补金属氧化物半导体电压基准源的设计
机译:具有二阶曲率补偿的低温漂移带隙参考电路的设计
机译:用于高性能Ingao TFT的带隙设计双层频道层的带隙设计的双层频道层
机译:具有二阶温度补偿的0.6 ppm /°C电流模式带隙
机译:参考时钟设计,具有温度补偿功能,可实现低功耗和低相位噪声
机译:三元光物理性质的研究Zn-Ga-S量子点:带隙与亚带隙激发和排放
机译:低功耗带隙基准的设计
机译:带隙电压基准的高阶温度补偿(I)
机译:二阶温度补偿带隙电压参考
机译:二阶温度补偿的带隙电压参考。
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