SiC涂层石墨的机械密封及其工艺—控制SiO生成速率法

摘要

本文论述用于机械密封的硅化石墨。该材料是通过石墨在１８００－２１００℃高温中与一氧化硅反应而制成的。一氧化硅则碳化硅与硅石或者氮化硅与硅石在１５００－１８００℃高温中采用速率控制方法生成。