加快eGaN发展 EPC称硅FET已走到尽头

摘要

＜正＞经过近两年的发展,EPC公司的eGaN产品已经发展到第二代,在性能上有了更好的表现,例如体积更小、开关效率比相同导通电阻的MOSFET高出更多等。eGaN FET的高性能正在使之更快地被高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路等采用,而TI在去年推出的业界首款100V半桥GaN FET驱动器LM5113,则进一步推动了eGaN FET在高性能电信、网络以及数据中心中的应用。