当前相变存储材料与器件的特性测量技术

摘要

＜正＞相变存储（phase change memory,PCM）,是一种新兴的非易失性计算机存储器技术,未来将能取代许多应用中的闪存。PCM要比闪存快得多,而且可靠性很高,达到10亿次写入循环,相比之下,闪存的每个区只能写入5000次。PCM还可以缩减到比闪存更小的尺度。本文就论述了PCM器件的技术基础,以及当前相应的特性测试方法。