单晶硅中替位碳含量的常/低温红外光谱对比研究

摘要

对不同单晶硅片中的替位碳含量进行了常温/低温(＜15K)红外光谱测试.通过对比研究发现,在所有实验样品中,除一个碳含量高的样品相对偏差较大以外,其余样品的相对偏差都很小,均在±0.06ppma以内.实验证明低温(＜15K)红外光谱可以替代常温红外光谱完成杂质碳含量的检测,低温红外光谱的一次扫描即可同时完成碳、硼、磷杂质的含量检测.本文为多晶硅生产中的杂质含量分析提供了一种快速、高效的检测模式,避免了设备的重复和资源的浪费.