集成电路制造中的光刻技术简而言之是将设计的图形转移到晶圆表面的技术.作为集成电路的制造工艺中的核心环节,随着线宽尺寸的减小,对于精度的要求也随之提高,相应地对光刻机的设计技术的要求也越来越高.从光刻技术角度而言,照明条件主要是数值孔径(Numerical Aperture,后面简称N.A.)和sigma,对于分辨率resolution和景深DOF(depth of focus)都起到了至关重要的影响,也是衡量一个光刻机性能的重要依据.步进扫描式光刻机作为目前半导体光刻技术发展的主流,光刻机生产厂家根据自身设备的特性,在照明条件的控制上也有其不同的造诣,这一点主要通过光刻机的照明系统(即illumination)和投影透镜系统(Lens),来实现对照明条件的控制.对于现在市面上两大主力的光刻机生产厂商ASML和Nikon来说,通过对照明条件的精确控制是实现分辨率和景深突破的重要关键.在本文中将举例介绍Nikon S206D和ASML PAS 550-800光刻机的照明条件的精确控制,使其在基于NIKON OPC掩膜板上,完成对同一产品上数值孔径匹配的技术.通过这种技术以满足晶圆光刻工艺上可能出现的生产效率问题,解决因为生产线光刻机工作负荷时的产能分配和利用率提高的问题.
展开▼
