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Rule based OPC evaluating method and simulation-based OPC model evaluating method

机译:基于规则的OPC评估方法和基于仿真的OPC模型评估方法

摘要

A rule-based OPC evaluating method and a simulation-based OPC model evaluating method for accurately evaluating line width controllability are disclosed. Mask pattern design data about an evaluation-use mask are input to rule-based OPC to obtain correction data about the mask pattern on the evaluation-use mask. An evaluation-use wafer is fabricated based on the correction data thus acquired. Gate patterns on the evaluation-use wafer are measured for size. Based on a simulation-based OPC model having undergone process calibration, simulation data are output corresponding to all gate patterns on the evaluation-use wafer. The measured data about the evaluation-use gate patterns are compared with the simulation data, whereby the rule-based OPC is evaluated.
机译:公开了用于精确地评估线宽可控制性的基于规则的OPC评估方法和基于模拟的OPC模型评估方法。关于评估用掩模的掩模图案设计数据被输入到基于规则的OPC,以获得关于评估用掩模上的掩模图案的校正数据。基于如此获取的校正数据来制造评估用晶片。测量评估用晶片上的栅极图案的尺寸。基于已经过过程校准的基于仿真的OPC模型,输出与评估用晶圆上所有栅极图案相对应的仿真数据。将有关评估用门图案的测量数据与模拟数据进行比较,从而评估基于规则的OPC。

著录项

  • 公开/公告号US6928636B2

    专利类型

  • 公开/公告日2005-08-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HIDETOSHI OHNUMA;

    申请/专利号US20030332631

  • 发明设计人 HIDETOSHI OHNUMA;

    申请日2002-05-10

  • 分类号G06F17/50;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 22:19:13

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