平面式高功率信号放大器设计

摘要

氮化镓高电子迁移率晶体管(Ga N HEMT)具有高功率密度、高效率和高工作温度的优异特性,在电子装备和武器系统中具有广泛应用。随着以固态功放为核心的有源阵面的不断增加,高效率,高功率,小型化的功率放大器成为未来有源相控阵雷达的首选功率器件。本文通过采用新颖的偏置电路实现了一款便于T/R组件内部集成的平面式、小型化、高效率Ga N内匹配功率放大器,经测试,在3.1-3.4GHz带宽内,连续波输出可达80W以上,附加效率≥65%,功率增益≥12d B,外形尺寸仅有15mm*6.6mm*0.8mm。经过射频加速寿命试验及多批次系统联机测试,该产品完全满足相控阵雷达系统的使用要求。