基于快速面探测方法的碳化硅表面残余应力测量

摘要

陶瓷加工后表面残余应力的测量通常采用一维X射线衍射线探测法,该方法存在测量过程烦琐 、效率低 、成本高等问题,因此采用新型快速二维面探测X射线衍射残余应力测量方法,对碳化硅陶瓷表面的残余应力进行测量,实验中测量了3种不同品牌碳化硅工件的初始表面和抛光后表面的残余应力.结果表明:此新方法单次测量即可获得样品500点的衍射信息,特别适用于陶瓷材料的应力测量.同时还发现:对于被加工表面的残余压应力,抛光加工最高能够消除近80％ 的残余应力,但不能改变工件的残余应力分布.