腐败、政府RD投入与高技术产业技术创新效率

摘要

通过构建数理模型,研究腐败和政府R&D投入对技术创新效率的影响机制,结果表明:腐败对技术创新效率具有负向影响;存在腐败时,政府R&D投入对技术创新效率的影响可以分解为负向的规模效应和正向的结构效应,最终结果依赖于两种效应的净效应;政府R&D投入对腐败和技术创新效率的关系具有调节作用,且调节效应一般为正,即政府R&D投入增加弱化了腐败对技术创新效率的不利影响。以2000—2009年中国高技术产业省际面板数据为样本,采用DEAMalmquist指数测度技术创新效率,运用动态面板系统GMM方法进行实证分析,验证了理论结论。