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郭慧; 邬建根; 沈孝良; 屈逢源; 金辅政; 张建平; 朱景兵;
复旦大学物理系;
上海无线电十七厂;
中国科学院上海技术物理研究所;
热退火; 铝合金; P-n结; 漏电流; 硅;
机译:快速热退火与管式炉退火相结合降低SiO_2基体硅纳米晶薄膜中的残余应力
机译:高功率密度热等离子体射流诱导的硅晶圆毫秒快速热退火及其在超浅结形成中的应用
机译:低温N沟道单漏极和轻掺杂漏极多晶硅薄膜晶体管的漏极结附近的热载流子降解以及电场和电子浓度
机译:通过5 keV离子注入和快速热退火制成的具有超浅源极/漏极结的0.05 / spl mu / m-CMOS
机译:在快速辅助快速热退火过程中,硼的活化和扩散会改变硅的初始工艺条件。
机译:脉冲电流和预退火对通过硅通孔(TSV)铜热挤出的影响
机译:通过高电流密度离子束辐照和快速热退火方法制备的Fept薄膜的磁性和磁性相的形成;以及相应形成的Fept薄膜的相位形成和/或快速热退火方法制备的Fept薄膜的相形成
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管
机译:双级源极/漏极扩展结退火以减小结深:多脉冲低能激光退火与快速热退火相结合
机译:通过在氨中进行快速热退火来制造低电阻的超浅结的方法,以提高激活率并减少轻掺杂源极和漏极区域的扩散
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