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张金仓; 程国生; 刘军政; 刘峰奇; 戴宪起; 曹世勋;
河南师范大学物理系;
氧缺陷; YBCO超导体; 局域电子密度; 空位浓度;
机译:点缺陷的集中浓度较高的区域,位于浓缩介质的内部界面附近:III。 Pd,Ta,W和Pt中点缺陷浓度增加的区域中空位氧配合物的组成和结构
机译:通过改变氧和锌空位的缺陷浓度,在ZnO纳米结构中诱导铁磁和气敏特性
机译:Pd,Ta,W和Pt多晶体中点缺陷高浓度区域中的空位超高浓度以及这些区域中的空氧复合物的组成
机译:PMP处理的超导体中YBa_2Cu_3O_x形成动力学和晶体缺陷
机译:钙钛矿氧化物结构中氧空位和缺陷配合物的动力学。
机译:使用MEM获得的电子密度分布分析Co掺杂ZnO中的氧空位
机译:应变对点缺陷和链氧顺序的影响 123-结构杯状超导体的转变
机译:半导体中空位和氧相关缺陷的电子结构计算。
机译:所说的氧缺陷型多氧化物超导体对多氧化物超导体和氧缺陷型多氧化物超导体的热处理及磁传感器
机译:基于采用高转变温度超导体的超肖特基或超导体-绝缘体-超导体结构的波长可调红外探测器
机译:绝缘体上硅结构的器件层具有空位占主导并且基本上没有聚集的空位型缺陷
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