首页> 中文期刊> 《计算物理》 >功率AlGaAs/GaAs HBT自加热频率特性

功率AlGaAs/GaAs HBT自加热频率特性

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

文献数据库（团队版） >>

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

提出了一种功率AlGaAs/GaAsHBT的自加热温度模型,讨论了在大电流条件下,器件晶格温度升高和基区扩展效应对HBT器件频率特性的影响,并对器件的晶格温度、截止频率和最高振荡频率在自加热条件下的变化分别进行了计算和模拟.

著录项

来源
《计算物理》 |2003年第5期|467-470|共4页
作者
王源; 张义门; 张玉明;
展开▼
作者单位

西安电子科技大学微电子研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.8;TN325.3;
关键词
功率AlGaAs/GaAsHBT; 自加热; 温度模型; 频率特性; 异质结双极性晶体管; 晶格温度; 截止频率; 最高振荡频率;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 具有AlGaAs缓变结构的InGaP/GaAs HBT性能改进分析 [J] . 周守利 ,熊德平 . 固体电子学研究与进展 . 2008,第3期
2. AlGaAs/GaAs HBT的设计与研制 [J] . 胡海蓉 ,牛萍娟 ,胡海洋 . 河北工业大学学报 . 2005,第006期
3. 禁带变窄效应对突变AlGaAs/GaAs HBT电流影响的研究 [J] . 周守利 ,崔海林 ,黄永清 . 固体电子学研究与进展 . 2005,第2期
4. AlGaAs/GaAs超薄基区负阻HBT的研制与模拟(英文) [J] . 齐海涛 ,张世林 ,郭维廉 . 半导体学报：英文版 . 2005,第8期
5. 用于HBT的AlGaAs/GaAs MOVPE材料 [J] . 王向武 ,黄子乾 ,潘彬 . 固体电子学研究与进展 . 2005,第2期
6. AlGaAs/GaAs HBT的结构与工艺改进 [C] . 胡海洋 ,牛萍娟 ,董宏伟 . 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 . 2004
7. 一种应用于IEEE 802.11ax的GaAs HBT功率放大器 [A] . 罗世衡 . 2020

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号