析出V_4C_3在马氏体相变中的遗传

摘要

本文利用电子衍射和矩阵分析方法探讨了析出V_4C_3在马氏体相变中的遗传现象。结果表明,奥氏体、马氏体和V_4C_3三相间的晶体学取向关系为: (010)_A∥(110)_M∥(010)_(V_4C_3) [101]_A∥[111]_M∥[101]_(V_4C_3)V_4C_3首先在奥氏体中析出,遗传至马氏体中后,虽能与马氏体保持一定的取向关系,但界面结构理论分析指出,两相间的界面结合能高于Baker-Nutting关系所规定的结合能,因而是一五稳态。由于V_4C_3沿奥氏体的晶体缺陷析出,故这些缺陷将遗传至马氏体中。