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施恩泽; 曾耘;
南京电子器件研究所;
GaAsFET; 电调振荡器; 振荡器;
机译:GaAs FET结构中GaAs-GaAs:Cr界面处的深陷阱效应
机译:InGaP / GaAs合并HBT-FET(BiFET)技术中FET的产量和缩放特性的方法
机译:由电子速度预测的数字GaAs FET与Si FET栅极延迟
机译:宽带混合集成Ku波段共源GaAs FET VCO的非线性设计方法
机译:GaAs FET微带放大器的线性化技术,采用导数对消技术。
机译:具有8GHz UWB发射器的10.6mm3全集成无线传感器节点
机译:使用FT = 22.9GHz Gaas mEsFET的8GHz以上静态T触发器操作
机译:multiplicador de 6 para 12 Gh LC Z Usando G LC aa LC s FET Dupla porta(使用双栅极Gaas FET,频率倍增器为6至12 Ghz)
机译:具有电阻A1GAAS的GAAS FET
机译:功率和低Rauschfaktor的弱寄生Fet拓扑-gaas fet
机译:弱寄生FET-功率和低噪声因数的拓扑-GAAS-FET
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