CVD法沉积金刚石薄膜中成核与生长的势垒研究

摘要

探明成与生长的机理对于沉积高质量金刚石薄膜是十分重要的。本文采用ＰＭ３方法，计算了化学汽相沉积金刚石薄膜成核与生长阶段反应势垒。研究了对于不同反应气体（甲烷 炔）脱氢和增加沉积基团势垒。然而，啬乙炔基的势垒大于增加甲基的势垒，这可能是因为乙炔分子必须打开Ｃ≡Ｃ键材能沉积衬底表面。