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刘昌龙; 朱智勇; 侯明东; 金运范; 王志光;
中国科学院近代物理研究所;
离子辐照; 损伤效应; 电子能损; 单晶硅;
机译:中重离子改性的单晶Si层中的结构损伤和离子沟道效应
机译:脉冲EPR研究γ射线,Ne和Si离子束辐照的L-丙氨酸晶体中的低剂量辐照效应
机译:由中等能离子散射光谱研究的金属和Si单晶SMRFACC的完全不同的溅射损伤曲线
机译:离子辐照后砷化镓太阳能电池中位移损伤引起的电和结构效应
机译:1-三甲基甲硅烷基取代的硅烷阴离子Ph4C4Si(SiMe3)-•Li +和3-硅氧烷亚胺25-碳二阴离子{Ph4C4Si(n-Bu)2 -2•2 Li的合成及NMR研究+Ph4C4Si(t-Bu)2 −2•2 Li +}通过Silole Dianion Ph4C4Si −2•2 Li +
机译:使用2.6 MeV质子在合成单晶金刚石中离子束感应电荷(IBIC)辐照损伤研究
机译:自离子辐照过程中si的损伤增长:扩展能量范围内的离子效应研究
机译:中子辐照的单晶硅-在将掺杂剂扩散通过晶体之前,先进行退火以消除辐射损伤
机译:等离子:A-金属氧化物-SI场效应等离子调制器
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