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邓先灿;
场效应晶体管; 单极晶体管; 场效应器件; 肖特基势垒; 金属-半导体接触;
机译:硫化双(二甲基二硫代砷化镓)镓[(Me_2AsS_2)_2Ga] _2S·0.75H_2O的结构:(Me_2AsS_2)_3Ga的水解产物,其中包含桥联硫化物以及侧链和桥联二甲基二硫代砷化镓配体。
机译:高性能砷化镓磷化物-砷化铟镓隧道场效应晶体管的基于物理的仿真研究
机译:使用砷化镓场效应晶体管的集成微波放大器的设计技术
机译:砷化镓或砷化镓注入的砷化镓中的皮秒寿命和高电阻率:快速光电应用的替代材料
机译:在异质衬底上生长的基于砷化铟/锑化铟的基于砷化镓/砷化铝镓的异质结构场效应晶体管。
机译:通过砷化镓结-场效应晶体管电检测带电肽的生物相互作用
机译:高电阻砷离子注入砷化镓的材料和超快光电性能
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录a.高性能砷化镓掩模可编程功能和逻辑阵列的可行性分析
机译:砷化铝对砷化铝镓摩尔分数缓冲层的高温砷化镓场效应晶体管
机译:使用砷化铝或砷化铝镓缓冲层提高砷化镓场效应晶体管性能的方法
机译:双异质结构注入激光器-带状结,使用砷化镓衬底和砷化镓铝层
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