基于TNT敏感聚合物的纳米阵列结构的制备与性质

摘要

利用多孔氧化铝模板法制备了两种1，3，5-trinitrotoluene（TNT）敏感的荧光共轭聚合物Triphenyrlamine-co-para-biphenyene vinylene（TPA—PBPV）和Triphenylamine-co—para—phenylene vinvlene（TPA—PPV）的纳米线阵列结构。纳米线的直径在80～100nm之间，高度在150—200nm之间。和固体薄膜相比，TPA—PBPV和TPA—PPV荧光光谱都发生了蓝移，TPA—PBPV的发射峰从485变为455nm，PPV的峰从495nm变为475nm。蓝移的发光表明聚合物纳米线阵列可以抑制低能量陷阱，有望提高材料的传感性能。