紫外光激发的GaAs表面氧化反应研究

摘要

用X射线光电子能谱仪(XPS)系统研究了紫外光(UV/Ozone)激发下GaAs表面的氧化反应。分析了表面氧化层的组成、厚度及其随时间的变化情况。利用大量的实验数据,探讨紫外光激发下GaAs的表面氧化反应机理以及动力学历程。结果表明,紫外光激发的氧化反应不同于热氧化反应,反应主要生成Ga2O3和As2O3,二者比例几乎相等。氧化过程可以分为两个不同阶段,初始阶段为线性生长,随后变为抛物线生长。