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王疆瑛; 邬良能; 江影;
中国计量学院材料科学与工程学院;
Bi3.15La0.75Ti3O12; 铁电薄膜; 玻璃相; 电学性能; 溶胶-凝胶(Sol-Gol);
机译:YSZ(100)上多对SrRuO_3 / Pt(111)电极上的(104)取向Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)和Bi_(3.54)Nd_(0.46)Ti_3O_(12)铁电薄膜的微观结构缓冲硅(100)
机译:在Pt / Ti / SiO_2 / Si上的铁电Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)/ BiFeO_3 / Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)三层薄膜的微结构和电性能
机译:钽对双过量Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的机械,铁电和介电性能的影响
机译:MOD法制备Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)和Bi_(3.25)Nd_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的结构和铁电性能
机译:基材对铅基铁电薄膜的结构和电性能的影响。
机译:取向对Bi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01O12薄膜在低温和高温下的极化转换和疲劳的影响
机译:极化切换和疲劳特性高(117) - 均为Bi3.15nd0.85ti2.99mn0.01o12在低温和高温下的铁电薄膜
机译:选择性蚀刻铁电薄膜层对可调谐带通滤波器性能的影响
机译:使用具有热稳定性,高强度和低介电性能的环状硅倍半氧烷的硅氧烷基低介电薄膜及其制造方法
机译:半导体器件,尤其是无硅架构的MOSFET,其源极和漏极区域覆盖了相对的硅薄膜端部区域,该区域延伸超过了上覆的栅极介电层
机译:形成SIrBi2(T-a2-xNbx12-XNbX)O9铁电薄膜的组合物
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