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王琴; 阎萍; 何秀坤; 李光平; 汝琼娜; 李晓波;
机械电子工业部第四十六研究所;
砷化镓; 掺杂; 杂质缺陷;
机译:浅施主掺杂的GaAs和GaAs量子阱的杂质光电流谱中的Fano共振研究
机译:具有双重杂质和缺陷的掺杂GaAs(锌共混物)的电子结构和磁性
机译:轻掺杂和重掺杂液相外延GaAs:Sn中异常离子注入缺陷引入的阴极发光研究
机译:通过等价杂质掺杂控制低温生长的GaAs中的点缺陷和砷簇
机译:研究光子晶体中的杂质模式和研究功率GaAs MESFET。
机译:模拟Zn1-xMnxSe / GaAs外延膜MnSe / ZnSe超晶格的远红外光谱并预测Zn1-xMnxSe中NP缺陷的杂质模式
机译:杂质带和价带中的空穴传输适度研究 掺杂的Gaas:mn单晶
机译:Gaas中的杂质和缺陷相互作用
机译:具有掺杂有杂质的多晶硅层中的具有杂质扩散防止层的半导体器件和使用相同杂质的DRAM器件,能够防止掺杂有多晶硅的杂质中的杂质扩散
机译:制备掺杂有杂质的GaAs半导体单晶的方法
机译:GaAS {11 {11 {11 P {11 {11掺杂了电子杂质的电致发光器件
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