应变异质结ZnSe/Si_2(110)的价带带阶的第一原理计算

摘要

本文从第一原理出发，用 Ｌｉｎｅａｒｉｚｅｄ－Ｍｕｆｆｉｎ－Ｔｉｎ（ＬＭＴＯ）能带方法对应变超晶格（ＺｎＳｅ）ｎ／（Ｓｉ２）。（１１０）（ｎ＝２～７）进行自洽计算．在此基础上采用冻结势方法计算了应变异质结ＺｎＳｅ／Ｓｉ２（１１０）的价带带阶，得到其理论值为 ０．９３ｅＶ，说明该异质结的价带带阶值较大，由其构成的量子阱对空穴运动有较强的限制作用．