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熊绍珍; 张建军; 周祯华; 孟志国; 戴永平; 谷纯芝; 马京涛; 丁世斌; 赵庚申;
南开大学;
深圳天马微电子公司研究所;
阳极氧化; 五氧化二钛; 薄膜晶体管;
机译:具有不同绝缘层的顶栅和底栅ZnO-TFT的制备和比较研究
机译:肖特基接触栅四探针a-Si:H TFT结构:研究a-Si:H TFT电不稳定性的新结构
机译:Ru / Ta_2O_5 / SiON / Si结构中漏电流机理的栅氧化层厚度依赖性
机译:具有阳极氧化Ta_2O_5栅介电层的并五苯低电压有机场效应晶体管
机译:研究硝酸硅和二氧化锡碳纳米管复合材料作为锂离子电池的阳极,气体传感器以及碳纳米管在铜基底上的自组装。
机译:Sub-20制造过程中的方差减少用于垂直栅全能金属氧化物半导体的nm Si圆柱纳米柱场效应晶体管
机译:超高温陶瓷复合材料组分的研究:原子氧环境中HfOxCy和si氧化的合成与表征。
机译:具有TFT的液晶显示装置,每个TFT包括Ta栅电极和阳极氧化铝膜
机译:具有包括SI和碱土元素的栅氧化物绝缘层的场效应晶体管(FET)以及包括该FET的显示元件,图像显示器和系统
机译:具有tft的液晶显示装置,其中在沉积硅之前,在与具有阳极氧化膜的栅电极相同的平面中形成像素电极
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