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范秀强; 张正番; 刘永光; 多新中; 张苗; 王连卫; 林成鲁;
中国科学院上海冶金研究所;
四川固体电路研究所;
研制; 数模转换器; SOI/CMOS; 模拟开关;
机译:第一代和第二代富陷阱高电阻率SOI晶圆上的RF SOI CMOS技术
机译:商业200mm增强信号完整性高电阻率SOI基板上SOI CMOS技术的RF性能
机译:具有掩埋沟道SOI源跟随器的混合体/ SOI CMOS有源像素的总剂量辐射效应
机译:基于SOI技术的粒子检测CMOS振荡链的研制
机译:SOI-CMOS和本体CMOS中模拟电压比较器的性能分析
机译:具有CMOS放大器芯片的温度补偿单晶绝缘硅(SOI)MEMS振荡器
机译:sOI / CmOs(si-On-Insulator / CmOs)电路在siO2涂层si衬底上的区域熔化 - 再结晶si薄膜中制造
机译:使用时钟CMOS缓冲的SIGMA DELTA数模转换器和使用相同的SIGMA DELTA数模转换器
机译:混合SOI外延CMOS结构中SOI电路中的功率门控方案
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