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万青; 王连卫; 邢朔; 章宁琳; 沈勤我; 林成鲁;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
脉冲激光法; 制备; 铁电薄膜; 过渡层; PZT; PLD; 氧化铝;
机译:Al_2O_3缓冲层脉冲激光沉积在金刚石上制备PZT。
机译:用界面PBTIO_3缓冲层改进脉冲激光沉积BIFEO_3-PBTIO_3薄膜的脉冲激光沉积BIFEO_3-PBTIO_3薄膜的铁电响应
机译:脉冲激光沉积法在MgO衬底上制备铁电NaNbO / sub 3 / Thin薄膜
机译:脉冲激光沉积低温制备SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜及其在具有氮化物缓冲层的金属铁电绝缘体半导体结构中的应用
机译:脉冲激光沉积制备的铁电锶(0.16)钡(0.39)铌酸盐薄膜的微波特性。
机译:具有表面过渡层的铁电薄膜的介电性能
机译:脉冲激光沉积处理制备铁电薄膜及其表征。
机译:PZT PZT PZT基铁电薄膜的制备方法相同,PZT基铁电膜的制备方法相同
机译:基于PZT的铁电薄膜形成组合物,其制备方法以及使用该组合物形成基于PZT的铁电薄膜的方法
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