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X波段GaAs单片压控振荡器

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本文报告了X波段GaAs单片压控振荡器的设计和制作,电路设计采用小信号CAD分析程序,能准确地预计振荡频率,同时利用特殊工艺途径提高了变容管Q值.单片电路调谐范围是9.3～11.6GHz,输出功率大于10dBm.

著录项

来源
《固体电子学研究与进展》 |1991年第3期|188-192|共5页
作者
梁波; 林金庭; 夏先齐; 王福臣; 杨玉昌;
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作者单位

南京电子器件研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类振荡器;
关键词
压控振荡器; X波段; GaAs; 振荡器;

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