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孙加兴; 叶青; 周玉梅; 黑勇; 叶甜春;
中国科学院微电子中心;
互连线延迟; 串扰; 信号完整性; 噪声;
机译:采用0.18μmCMOS工艺的无辅助低压触发ESD保护结构,无需额外的工艺成本
机译:采用0.18μmCMOS技术的RIER对RIEL放大器的设计方案↓采用0.18μmCMOS技术的轨对轨放大器的设计
机译:低功耗宽带基于RGC的改进型MIC互阻放大器,采用0.18μmCMOS工艺
机译:不同水平铜互连对0.18μmCMOS工艺热载体寿命的影响
机译:基于0.18μMCMOS工艺的2GHz发射机设计及其线性化,以及基于0.25μM锗硅双极工艺的8 GHz收发器设计(采用GSML方法)。
机译:使用标准的0.18-μmCMOS工艺制造的微磁场传感器
机译:一个10 Gb / s宽带电流模式逻辑I / O接口,采用0.18μmCMOS技术进行高速互连
机译:0.18微米硅锗(siGe)和硅绝缘体(sOI)工艺中的衬底噪声耦合分析
机译:互连线延迟特性分析的测试模式和方法
机译:自动编码器神经网络,用于互连系统的信号完整性分析
机译:深度小于0.1μmCMOS器件的自对准口袋工艺及其器件
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