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董震震; 甘业兵; 罗彦彬;
中国科学院大学;
北京101408;
中国科学院微电子研究所;
北京100029;
杭州中科微电子有限公司;
浙江杭州310053;
低噪声放大器; 砷化镓; 级间匹配; 宽带;
机译:在设计为800nm波长的多孔硅分布式布拉格反射器上增强了大砷化镓薄膜的砷化镓薄膜。
机译:砷化镓和砷化镓衬底上用于X射线探测器的砷化镓p-i-p结构
机译:Nonohmic传导率和能量弛豫机制歌德罗斯特拉基土拉砷化镓/砷化铟镓/砷化镓20个电子气
机译:砷化镓或砷化镓注入的砷化镓中的皮秒寿命和高电阻率:快速光电应用的替代材料
机译:用于低噪声前端接收器的砷化镓毡微波放大器的设计和性能。
机译:直接辐射的片上砷化镓肖特基二极管和天线的射频到直流特性用于近距离通信系统
机译:针对425 mHz和双频段(425和900 mHz)的优化(第二次通过)砷化镓(Gaas)集成电路射频(RF)升压器设计的系统测试
机译:砷化镓射频电路和毫米波前端模块
机译:用于生产砷化镓衬底晶片的掺杂砷化镓单晶的制备包括熔化砷化镓起始材料,然后使砷化镓熔化
机译:由砷,硅和锗掺杂的砷化镓中的砷化镓溶液制备砷化镓晶体的方法
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