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唐田; 张永刚; 郑燕兰; 李爱珍;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;
InGaAsSb; 分子束外延; 多量子阱; 光致发光;
机译:基于无机AlGaN / GaN量子阱和胶体ZnO纳米晶体的杂化材料的时间分辨光致发光特性
机译:撤回通知,“ In和Si掺杂的GaN / AlGaN多量子阱的光致发光比较研究” [材料。科学。 B(2003)196-199]
机译:石墨烯量子点/银复合材料的光致发光特性研究
机译:AlGaAs / GaAs量子阱激光材料的光致发光和结构特性研究
机译:砷化镓/砷化镓铝单量子阱中的光致发光和隧穿。
机译:MBE制备的I型InGaAsSb双量子阱激光结构的PCSEL性能
机译:II-VI半导体的特性:体晶,外延膜,量子阱结构和稀磁系统。材料研究学会研讨会论文集。第161卷
机译:长波照片与Ingaassb量子阱层的工艺组成
机译:具有ingaassb量子阱层的长波光子组件
机译:具有InGaAsSb量子阱层的长波长光子器件
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