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贾护军; 杨银堂; 李跃进; 柴常春;
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
碳化硅; 功率器件; 界面态; 复合栅介质;
机译:Si和SiC功率器件的最新技术和挑战:支持新功率器件性能改进的最新工艺器件技术
机译:SiC和GaN功率器件电介质技术的最新进展
机译:具有低功率和高可靠性的深亚微米互补金属氧化物半导体器件的具有双高k栅氧化层厚度的Pt栅/ AI_2O_3 / p-Si(100)的电和物理分析
机译:用于4H-SiC MIS器件的AION / SiO_2堆叠栅介质
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件
机译:4H-siC器件中的非微管位错:电性能和器件技术的影响
机译:包括沟槽栅MOS功率器件的智能功率集成电路技术的制造方法
机译:厚氧化物器件在MOSFET技术中用作薄氧化物跨导器件的共源共栅及其在功率放大器设计中的应用
机译:MOSFET技术中厚氧化物器件作为薄氧化物跨导器件的共源共栅的用途及其在功率放大器设计中的应用
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