单晶硅表面硝酸银活化化学镀镍工艺

摘要

单晶硅表面局部金属化可用于一些特殊的技术领域，为了寻找成本低且环保的化学镀镍无钯活化工艺，以AgNO3为活化剂，加上适当的复合添加剂对单晶硅进行化学镀镍前活化处理。通过扫描电镜、耐蚀性试验及相关检测标准，研究了AgNO3浓度、活化时间、活化温度对镀层沉积速率、覆盖率和镀层光亮度、结合力及耐蚀性的影响。结果表明：当AgNO3浓度为3．5～7．5g/L，温度为40～50℃，活化时间为12～20min时，镀层沉积速率和覆盖率较好，镀层表面均匀、光亮、结合力强、耐蚀性好；该活化工艺及其制备的局部镍镀层能够很好址．应用于多孔硅的制备．