网络状氮化硼纳米棒的生长研究

摘要

利用等离子体增强化学气相沉积 (PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition ,PECVD)法在单晶硅片上生长了氮化硼 (BN)材料。扫描电子显微镜 (ScanningElectronMicroscopy ,SEM)图 ,能量分散谱 (EnergyDispersiveSpectrum ,EDS)和傅里叶红外光谱 (Fouriertransforminfraredspectroscopy ,FTIR)表明 ,在一定的生长条件下BN薄膜呈现由纳米棒搭构而成的网络状结构。纳米棒的直径在几十到几百纳米范围 ,长度为微米量级。对这种特殊形貌的生长机理进行了探讨。