氘致纯Pd开裂机理

摘要

本文在光学显微镜和透射电镜下观察到退火态纯Pd经290h电化学充氘后,位错密度从充氘前的10~8/cm^2增加至10^(12)/cm^2以上,并产生许多类似气泡的空洞组织或裂纹。分析认为形成空洞或裂纹的原因是由于氘原子沿位错周围富集,D-D原子间重新复合成D_2分子所致,X射线衍射表明,充氘290h后,Pd晶体的点阵常数从0.3890增大到0.4034nm。