低真空射频反应溅射Al_2O_3薄膜

摘要

用射频反应溅射法在硅片上制备Al_2O_3薄膜，在10Pa的低真空中和以适当比例混合的氢气和氧气中反应溅射以使薄膜充分氧化并保持一定的沉积速率，从而得到了理想配比和折射率为1．60～1．65的AL_2O_3非晶薄膜。