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宋国利; 梁红;
哈尔滨学院物理系;
ZnO:Eu^3+纳米晶; 退火温度; 光致发光;
机译:_2掺杂硅酸钇(Y_2SiO_5:Eu〜(3+))纳米晶荧光粉的发光性质:Eu〜(3+)离子浓度和热退火的影响
机译:退火温度对ZnO / ZNAL_2O_4 / CA_5AL_6O_(14)/ CA_3AL_4ZNO_(10)的结构和光致发光性质的影响:0.1%CE〜(3+)通过柠檬酸溶胶 - 凝胶法制备的混合相纳米磷
机译:溅射溅射在Eu掺杂纳米晶Si / Si / Si / 2的发光期间底物温度,退火温度和氢气存在的影响
机译:ZnO和ZnO基薄膜合金退火的函数的温度依赖带边缘分布分析
机译:退火温度和环境对嵌入SiO2中的ZnO纳米晶体的影响:光致发光和TEM研究
机译:光学激发能对GaN中Eu(3+)红色发光的影响。
机译:由Zn(OH)2纳米片和ZnO纳米晶须膜制成的混合膜,由ZnO纳米片和ZnO纳米晶须膜制成的混合膜及其制造方法
机译:Zn(OH)2纳米片和ZnO纳米晶须膜的混合膜,ZnO纳米片和ZnO纳米晶须膜的混合膜及其制造方法
机译:红色稳定发光的光致发光BA 3 Sub> BI 2 Sub>(BO 3 Sub>) 4 Sub>:EU 3+ Sup>用于LED芯片
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