原位合成MoSi_2-SiC复合材料的室温增韧

孙祖庆; 张来启; 杨玉玥; 傅晓伟; 朱静

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原位合成MoSi_2-SiC复合材料的室温增韧

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原位合成ＭＯＳｉ２－ＳｉＣ复合材料的断裂韧性明显高于单一ＭｏＳｉ２的断裂韧性.组织结构的ＴＥＭ与ＨＲＥＭ研究结果表明：原位合成ＭｏＳｉ２／ＳｉＣ界面为直接的原子结合，无ＳｉＯ２非晶层存在结合对该复合材料的ＫＩｃ断口形貌及压痕裂纹连续扩展路径的观察分析表明，其室温增韧机制为ＭｏＳｉ２－ＳｉＣ界面间较高的结合力、ＭｏＳｉ２基体晶粒细化及裂纹偏转和桥接．

著录项

来源
《金属学报》 |2001年第1期|104-108|共5页
作者
孙祖庆; 张来启; 杨玉玥; 傅晓伟; 朱静;
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作者单位

北京科技大学新金属材料国家重点实验室;

北京科技大学材料科学与工程学院;

清华大学材料科学与工程学院;

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正文语种 chi
中图分类非金属复合材料;
关键词
MOSI2-SIC复合材料; 原位合成; 断裂; 室温增韧;

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