GaAs MMIC宽带双平衡混频器的研制

摘要

采用GaAs肖特基二极管工艺,设计并制造了一款宽带无源双平衡混频器,射频、本振频率为1.5~3.7 GHz,变频损耗小于10 dB,本振到射频隔离度大于35 dB,中频带宽DC^0.8 GHz。该混频器采用了环形二极管和螺旋式巴伦结构,在获得良好的变频损耗与隔离度的同时,显著减小了芯片面积,整体芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm。