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王明东; 郑婷; 朱道云; 何振辉; 陈弟虎; 闻立时;
中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室;
阴极电弧离子沉积; ZnO薄膜; 退火;
机译:热退火对直流电弧放电离子镀制备透明掺杂Ga的Zno薄膜导电性能的影响
机译:衬底温度对离子镀法直流电弧放电在玻璃衬底上制备的掺杂Ga的ZnO薄膜的结晶度和电性能的影响
机译:氧气流量和Ga含量对直流电弧放电离子镀Ga掺杂ZnO薄膜结构性能的影响
机译:通过直流电弧放电离子镀沉积的Ga掺杂ZnO薄膜的耐热性:O 2 inf>流量对沉积过程的影响
机译:使用脉冲阴极电弧沉积和快速热退火制备C54钛硅化物薄膜。
机译:添加锌和真空退火时间对旋涂低成本1 at%Ga–ZnO薄膜透明导电薄膜性能的影响
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<辉光放电分解制备离子镀和氢化非晶硼薄膜制备氢化非晶硅薄膜及其表征>>相似的文献。最终报告,1980年4月1日至1981年5月31日
机译:氧化锌(ZnO)基单晶纳米结构,制备ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,ZnO基单晶薄膜和ZnO基材料包含ZnO薄膜的方法
机译:利用原子层沉积和退火工艺制备ZnO薄膜的方法
机译:ZnO气密面对面退火法制备ZnO纳米棒
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