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郑茳; 冯耀兰; 魏同立;
东南大学微电子中心;
双极型; 晶体管; 发射区; 参量; 测量;
机译:基于物理的紧凑型模型,由全栅MOSFET中的寄生双极结型晶体管引起的瞬态泄漏电流
机译:基于物理的双极结型晶体管瞬态中子损伤的器件模型
机译:穿孔绝缘栅双极型晶体管的基于物理的高级子电路模型
机译:4H-SiC双极结型晶体管和绝缘栅双极型晶体管的性能评估
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:L型隧道场效应晶体管中使用叠栅抑制双极电流的研究
机译:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块中开关脉冲的热模拟。
机译:多极型双极结型晶体管,双极型CMOS DMOS器件,制造双极型双极结型晶体管的方法以及制造双极型CMOS DMOS器件的方法,包括高放大倍数和击穿电压
机译:多发射极型双极结型晶体管,双极CMOS DMOS器件以及多发射极型双极结型晶体管和双极CMOS DMOS器件的制造方法
机译:具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
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